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电子元器件详细资料 » IC[21692] » IXFN30N110P
型号:IXFN30N110P类别:FET制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC描述:MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

详细参数

类别FET
描述MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
系列Polar™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1100V(1.1kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C25A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C360 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2226.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs235nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds13600pF @ 25V
功率_最大695W
安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装SOT-227B
包装管件

供应商

江苏芯钻时代电子科技有限公司陈先生18913062888
昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
上海如美电子科技有限公司杨全兴086-021-51097965
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